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AMD推出採用MirrorBitO架構的快閃記憶體晶片
可支援性能極高的高密度NOR快閃記憶體

【CTIMES/SmartAuto 楊青蓉報導】   2002年05月16日 星期四

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美商超微半導體 ( AMD )16日宣佈該公司的第一款MirrorBit快閃記憶體晶片已進入樣品供應階段。這款64MB的快閃記憶體訂於本季末交貨。MirrorBit技術是一項技術上的突破,可讓快閃記憶體儲存比標準快閃多一倍的資料,但承受度、效能及可靠性則絲毫無損。AMD預定於下半年供應128 MB及256MB的MirrorBit快閃記憶體晶片。MirrorBit架構採用真正的多位元快閃儲存格設計,其效能與可靠性都很高,絕不比標準NOR快閃遜色。NOR快閃記憶體在世界各地廣泛用於各種電子產品之中,負責儲存及執行其中的作業系統軟體。

MirrorBit快閃記憶體晶片確保客戶可以開發功能齊備、技術先進的電子產品,其中包括行動電話、PDA個人數位助理、車上型PC、電訊設備以及TV視訊轉換器(set-top boxes)等。AMD記憶體產品部副總裁Bertrand Cambou表示,「MirrorBit技術終於應用到商業方面,這是AMD記憶體產品部的一個發展里程碑。MirrorBit快閃晶片的成本架構比同類的標準快閃產品快兩個世代,因此可滿足代碼及資料儲存市場的需要」。

AMD記憶體產品技術行銷及業務拓展副總裁Kevin Plouse表示,「MirrorBit技術的推出,代表快閃記憶體的轉變」。若採用AMD MirrorBit快閃晶片,代碼或資料會分別儲存在快閃儲存格內的兩個各自獨立的區段。AMD的MirrorBit快閃晶片將每一位元的資料完全區隔開來,確保各位元資料的完整性,因此結構上比多層儲存格( MLC )快閃晶片更穩定、更可靠。MLC晶片將分數電位儲存在一個區段,因此電位較不穩定,設定、讀取及拭除資料也比較慢。

目前利用MirrorBit技術儲存的資料,已超過3,500億個位元,皆已通過廣泛而嚴格的測試。因此,AMD的快閃記憶體比其他同業的產品具有更長的資料保存時限及更高的承受度。MirrorBit快閃記憶體產品具有可以支援最少10萬個設定/拭除周期的高承受度,並確保可在125。C溫度下保存資料長達20年。

關鍵字: AMD(超微Bertrand Cambou  多次燒錄唯讀記憶體 
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