摩托羅拉公司於27日表示，該公司已經製造出 4 兆位元的磁電阻式隨機存取記憶體晶片。特定的客戶目前正在評估這項先進晶片技術的樣品。這項技術里程碑，進一步證實了 MRAM 有可能取代多種現有的記憶體技術的可行性。

摩托羅拉指出，設計者可因系統複雜度與整體系統成本的降低，以及系統效能的提升而受惠。MRAM 不僅信賴性高，而且生命週期長，最適合應用在惡劣環境中使用的產品，或是要求長效運作的系統上，例如：汽車與工業用途。而Honeywell 最近向摩托羅拉 (Motorola) 申請 MRAM 技術授權許可，以便將其應用在軍用與航太用途上。摩托羅拉半導體產品部門首席科技長Claudine Simson表示：「我們的 4Mb MRAM 晶片，不僅展現我們的技術，更能夠加速產業對 MRAM 技術的接受度。長久以來，我們的努力方向，就是要建立穩定的 MRAM 生產技術能力，目前已經有了長足的進步。我們目前正設法再提升產品的效能以利導入市場，並準備於明年進行廣泛樣品試驗。」

摩托羅拉指出，MRAM初期鎖定的目標市場，可能會以需要高速度、高信賴性，以及低耗電的產品應用為主。凡是重視高效能燒錄、無限次數的讀寫耐用性、燒錄能源需求低，或是無需任何能源即可保持資料能力的產品應用，都適合使用 MRAM。