矽成(ICSI)日前發表三款為目前市場上最快速-效能可達8奈秒的2M 及4M 的非同步SRAM： IS61LV12816, IS61LV25616 及 IS61LV5128。這是矽成積體電路繼去年第二季領先研發出8奈秒1M非同步SRAM後，再度將記憶體容量成功地往上提升，推出具更高容量的8奈秒非同步SRAM。

在科技急速轉換、市場競爭愈趨激烈之際，新穎的通訊產品如數據機, VOIP等, 都紛紛將產品的主要訴求鎖定在高效能上，同時，通訊產品的工作電壓趨勢也自原先的5伏特調降為3.3伏特，這樣的改變，使得市場上對於高效能記憶體產生了強烈的需求，而矽成此次領先推出的8奈秒非同步SRAM系列即可以最快的速度來滿足新穎通訊產品的高效能需求。矽成積體電路執行副總邱坤壽表示 "矽成的企業精神是將客戶的需求視為自己的需求，在產業界中我們可以深刻感受到的是，高效能產品需求的聲音已經越來越大，雖然此次矽成已再度成功的推出市場上最快的3.3V 2/4M非同步SRAM，但是我們仍將繼續朝向更高容量的記憶產品邁進。目前 8M及16M的8奈秒非同步SRAM也將研發成功，在不久的將來即可有樣品提供。而同時為了滿足客戶在產能上的需要，矽成也正與台積電共同研發0.15微米及以下的製程，預計在短時間內即可成功研發。"

目前矽成8奈秒2/4M 非同步SRAM皆已量產，預計於2001年年初可達到產能高峰。同時，這些非同步SRAM也可以10,12及15奈秒的速度提供。加入了這些新推出的非同步SRAM產品後，不但使得矽成SRAM的產品線更為完整，也將使得矽成在國際大廠紛紛轉向台灣採購的同時，成為國際大廠的主要SRAM供應商。