國際整流器(IR)推出兩款全新的TO-220封裝HEXFET功率MOSFET，大幅提升初級(primary-side)和次級(secondary-side) DC-DC轉換器電路的功率密度(power density)，使有關應用發揮最大效能。

以TO-220封裝的HEXFET功率MOSFET

這些新型元件是專為電信及數據通訊系統中的高效率48V輸入隔離式(input-isolated) DC-DC轉換器而設計，以取代TO-247封裝體積較大的元件。IRFB42N20D是專為出初級電路而設計的最佳元件；而IRF3703是專為輸出功率在3.3V以下的次級應用系統而設計的最佳元件。

IRFB42N20D是一種200V MOSFET，閘電荷(gate charge) (Qg) 低於103nC。由於其閘電荷能有效減低開關損耗，因此比採用大型TO-247封裝的同類型MOSFET具備更高的性能。

IRFB42N20D在110kHz的48V輸入、5V輸出的電阻器-電容器-二極管(RCD)-前置鉗式轉換器(clamp-forward converter)中，完全取代同類型TO-247的元件。在全負載 (40A) 情況下，採用TO-220封裝的IR元件的應用效率更較同類型TO-247封裝元件高出1%。

IR台灣區總經理朱文義表示：「全新的初級MOSFET能以更精巧封裝，提升效率達到1%。功率密度的不斷增加，使得設計人員必須採用更高的工作頻率。因此，應用IRFB42N20D的低閘電荷，設計人員能在更小封裝體積內提高開關速度應用效率。」

高效率、低電壓的DC-DC轉換器一般是在次級電路中以MOSFET取代Schottky二極管 (diodes)。在輸出功率低於3.3V的應用中，IRF3703的最佳化的設計能大幅提高次級同步整流電路 (secondary-side synchronous rectification circuits)的效率。

IRF3703是TO-220封裝30V MOSFET中性能最傑出的元件，RDS (on) 低至2.8 milliohm，目前市場中提供相似性能的元件還要低出20%。IRF3703的低RDS (on)性能可減低傳導損耗(conduction losses)，其低閘電荷阻抗(low gate impedance)則能減低開關及驅動器損耗。

朱總經理接著指出：「在多重輸出隔離式轉換器中，如在次階段中使用相同元件，電路板佈局就必須簡化。IRF3703能節省應用物料及加快產品推出，是次級應用系統的最佳選擇。」