飞思卡尔（Freescale）日前推出一款射频（RF）LDMOS功率晶体管，操作范围为1.8至600 MHz，同时针对会产生潜在破坏性阻抗失配（impedance mismatch）状况的应用(如二氧化碳雷射、电浆产生器和核磁共振造影（MRI）扫描仪)，已进行优化，使其可用于这些应用。这款全新的MRFE6VP6300H场效晶体管（FET）是全球第一款50伏特LDMOS晶体管，提供满载输出功率300瓦连续波（CW）至电压驻波比（VSWR）为65:1的负载。

所有固态RF功率放大器，可在RF功率晶体管产生的最大功率全数送达天线时，产生最有效率的运作。在理想的条件下，这将产生1:1的VSWR值，所有生成的额定功率到达负载，通过传输线后全未反射回至放大器。VSWR在大多数应用中很少超过2.5:1，大多数RF功率晶体管（无论搭载技术为何），都可以处理5:1或10:1的VSWR值。

然而，RF功率功率放大器不论用来触发二氧化碳雷射以及电浆产生器，或是在MRI系统产生电磁场，都会遇到几乎所有产生的额定功率反射回至功率放大器的状况。这些极端的条件对于多数RF功率晶体管都是一项挑战。

飞思卡尔全新MRFE6VP6300H LDMOS FET主要设计用来满足这些应用，并可产生达300瓦的CW输出功率，最高VSWR可达65:1。市售50伏特LDMOS晶体管中仅本款有提供这种等级的性能。

MRFE6VP6300H可以使用在推拉式（push-pull）或单端组态设定，并可安装于紧密的气腔陶瓷NI780-4封装中。在130 MHz时，此装置产生300瓦的CW输出功率，25分贝的增益和80%效率。MRFE6VP6300H也包含创新的静电放电（ESD）保护，使其成为一台Class III等级的设备，同时赋予充裕的闸源（gate-source）电压范围（-6伏特到+10伏特），可在高效率模式（如Class C）下操作时增强性能。