飞利浦半导体日前宣布正式将高效能 BiCMOS 制程中最新的QUBiC4技术导入商用化应用。飞利浦表示透过3G移动电话所需的高整合度RF电路以全硅化的制程制造，QUBiC4将能够帮助将3G移动电话的成本压低到易于吸引用户使用的网络的范围，同时借着大幅降低功率的消耗，也能够让3G移动电话本身拥有执行3G网络所提供交互式多媒体应用足够的电池电源。

「藉由将微波晶体管、高质量被动组件以及高集樍度CMOS逻辑电路整合到全硅化的制程技术，解决了3G产品所需低成本、高效能RF芯片在设计上的主要难题。」Cahners In-stat Group分析师 Allen Nogee指出， 「对制造商来说， 飞利浦半导体的QUBiC4制程技术就代表了一个高效能，但却低风险的3G RF 解决方案。」

此外飞利浦指出这项新制程所达到的卓越MHz/mW比更显得特别重要，可以在不影响手机电池使用时间的情况下达到3G移动电话网络所需的更高RF频率，并且能够将更加复杂的RF电路整合到QUBiC4芯片的设计上，如Tx, VCO或RF功率放大器以及影像 拒斥混波器、多相IF滤波器与fractional-N合成电路等等，能够降低生产多模式 (multi-mode)手机的零件数，而零件隔离技术同时也提供了能够处理3G 系统全双工(同时收发)需求的单芯片收发器，同时更开启了单芯片多模式3G收发技术，例如单芯片GSM/UMTS 或CDMA/CDMA-2000收发器的可能。

飞利浦进一步指出除了符合所有3G移动电话RF效能需求的标准硅化QUBiC4制程之外，飞利浦半导体同时也开发了QUBiC4的硅锗(SiGe)版本QUBiC4G，fT与fMAX效能分别为75 GHz与110GHz，这个SiGe选择将可以处理频率更高的无线通信应用，如Hiperlan以及光纤网络等等。另外，将被动电路整合到RF芯片中对电路的效能来说相当地重要，因此QUBiC4非常注重这些部份，达成能够整合高Q值的电感、高密度的金氧钽质五层氧化介电质电容以及高稳定度电阻，而采用低k值介电值以及整合可浅可深沟状隔离的设计方式将可以减少不必要的寄生电容，而微量掺杂的高阻抗基质也能降低基质的耗损。

飞利浦表示为了确保QUBiC4芯片能够满足通信终端设备市场所需的大量生产，因此在量产时将使用与飞利浦半导体0.25μm主要CMOS技术所使用的同样高可靠度前端处理程度，此外，公司也将以新建的晶圆厂加入QUBiC制程技术量产的行列，特别是位于美国纽约的Fishkill晶圆厂，预计将在2001年第三季导入QUBiC组件的商业化量产。