美商超威半导体(AMD)宣布推出两款最先进的闪存产品，分别为32MB的Am29BDS323及64MB的Am29BDS643，两者均采用AMD创新的同步读/写架构、高效能爆发模式接口以及超低电压技术。这两款产品可在40MHz至54MHz的频率之间进行作业，最适用于新一代的蜂巢式移动电话，尤其可支持各种新功能，其中包括上网功能、PDA、视讯数据分流传输以及MP3等功能。

Am29BDS643晶片的存取时间只有13.5ns，较其他竞争产品快，而Am29BDS323晶片的存取时间则只有20ns。这个高速存取功能可大幅减少读取快闪代码及资料所需的等待状态次数，确保微处理器可以发挥最高的效能，令系统的整体效能可以进一步提高。

由于Am29BDS323及Am29BDS643两款芯片均采用AMD曾多次获奖的同步读/写技术，因此可一方面读取某一记忆库的数据，又可同时在另一记忆库执行消除/设定功能。Am29BDS323芯片设有两个独立的记忆库，容量分别为8MB及24MB，而Am29BDS643芯片亦同样设有两个独立的记忆库，但容量则分别为16MB及48MB。因此，系统设计工程师可将多款内存芯片的功能整合一起，减低组件方面的成本支出。

除了上述的创新功能之外，这两款快闪芯片亦采用AMD的超低电压技术，可在1.8伏(V)的单一电压下执行读取、设定及消除功能。由于AMD拥有已注册专利的负闸极消除架构技术，因此能够率先提供1.8伏的闪存芯片。Am29BDS323及Am29BDS643两款芯片一如AMD其他的低电压闪存，均可进行零功率作业。换言之，这两款芯片在停止作业时会自动进入「省电」模式，而期间只耗用0.2A的电流。