Vishay宣布推出超小的20V n信道功率MOSFET＋肖特基二极管。SiB800EDK采用1.6mm×1.6mm的热增强型 PowerPAK SC-75封装，其将在100 mA时具有0.32V低正向电压的肖特基二极管与具有在低至 1.5V栅极驱动时规定的额定导通电阻的MOSFET进行了完美结合。

Vishay结合20V n信道功率MOSFET及肖特基二极管

当可擕式电子设备变得越来越小时，组件的大小变得至关重要。凭借超小的占位面积，SiB800EDK比采用2mm×2mm封装的器件小36%，同时具有0.75mm的超薄厚度。将两个组件整合到一个封装中不仅节省了空间，而且包含沟槽肖特基二极管可保持较低的正向电压，从而降低了电平位移应用中的压降。SiB800EDK具有0.960Ω（1.5V VGS 时）～0.225Ω（4.5V VGS 时）的低导通电阻范围。1.5 V时的低导通电阻额定值可使MOSFET与低电平时的信号一同使用。

该新器件的典型应用将包括手机、PDA、数码相机、MP3播放器及智能电话等可擕式设备的I2C接口与升压转换器中的电平位移转换。SiB800EDK具有ESD保护，并且100%无铅(Pb)，无卤素，以及符合RoHS，因此符合有关消除有害物质的国际法规要求。