Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出三款新型高速半桥式MOSFET驱动器IC，这些器件具有灵活的闸极极驱动级别，可在高频、高电流直流到直流同步整流器降压电源中优化效率、减少组件数，以及

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将成本降至最低。

这些新型MOSFET驱动器使用外部n信道MOSFET。它们可提供8V或12V的闸极极驱动电压，能够以1MHz的开关频率工作，并且可在5V～48V的系统中营运，这些系统包括电源转换器以及工业与计算设备。每个器件的高端驱动器均采用内置自举二极管，以减少外部组件数。

在SiP41109 中，整合的80mA、8V稳压器将闸极极驱动电压提供给高端驱动器，而电源将闸极极驱动电压提供给低端驱动器。在SiP41110中，高端电压与低端电压均由稳压器提供。这样，设计人员可针对所选的工作频率选择最适合在MOSFET导电与开关损耗之间实现最佳权衡的闸极极驱动电压。

这些驱动器中的自适应穿透包括可防止外部MOSFET的同时导电。欠压锁定可在电源达到有效工作级别前阻止电路营运，而过温保护在芯片温度超过165°C时会禁用这些驱动器。SiP41108具有多种其它功能，包括可调高端传播延迟、专用关断引脚，以及可在某些工作情况下提升效率的同步MOSFET禁用功能。SiP41108 采用无铅(Pb)PowerPAK TSSOP-16封装。SiP41109与SiP41110采用无铅SOIC-8封装，并且使用与广受欢迎的HiP6601及HiP6603相同的外引脚，同时还提供了高四倍的工作电压（48V）以及高两倍以上的闸极极驱动电流。因此，设计人员可使用这些新型器件升级他们器件的电压及电流密度，并且无需重新进行板设计。

SiP41109与SiP41110均可提供三态PWM输入，这还可防止输出关断。当 PWM 信号进入三态窗口并且仍留在关断窗口超过240ns时，它们会进入关断模式。如果使PWM引脚保持打开状态，则内置分压器会使该引脚的电压保持在2.5V，这会强行进入三态状态。这三款新型器件的额定工作温度均符合-40°C～+85°C的工业温度范围。它们的应用包括多相直流到直流转换器、高电流及高频同步降压转换器、异步到同步应用，以及计算器直流到直流转换器。