ST宣布，开始量产采用VFBGA55封装的256Mbit "小型页面（Small Page）" NAND型闪存芯片。新组件采用薄型8 x 10mm球栅数组封装，能让制造商在照相手机、智能电话、低成本数字相机、PDA、USB相机记忆卡，以及其他受到体积限制的可携式产品中增加更多内存容量。

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新产品厚度仅1mm，能与其他NAND型闪存兼容，可节省20%的电路板使用面积。NAND256是ST NAND型闪存系列的新产品，这一系列产品包含了128Mbit、256 Mbit、512 Mbit、与1Gbit等版本，可操作在1.8V~3.0V的供给电压中。新组件提供超快速数据传输率与擦除能力，并具有手机、PDA与他可携式设备所需要的低功耗编程与低电压操作特性。该组件采用先进的120nm制程技术，其超小型内存单元尺寸能大幅降低成本。

新的内存是由2,048个16Kbyte的区块组成，每个区块可分割成512Bytes的页面，每个页面都有附加的16byte空间，同时每个页面均可执行读取与编程动作。附加的内存空间可用于错误修正、软件卷标或毁损区块的识别。拷贝回存编程（Copy Back Program）模式能将数据储存在一个页面中，然后直接对另一个页面进行编程，无需额外的缓冲区，当页面编程作业在一个失效区块上进行时，此功能可发挥很大的作用。新组件还提供区块擦除指令，擦除一个区块的时间仅需2ms。每个区块均可承受至少100,000次的编程与擦除循环，数据保存期限为10年。

ST也提供完整的软件工具组合，以协助客户迅速使用新内存芯片开发产品并延长产品使用寿命。这些工具包括错误修正码（Error Correction Code，ECC）软件；毁损区块管理（Bad Block Management，BBM）功能；可延缓组件老化的平衡读写算法（Wear Leveling algorithms）；文件系统OS Native参考软件；以及硬件仿真工具。新组件还包含"通电后自动从第0页开始读取"的功能，可作为NAND内存的开机应用；以及"无需介意芯片启动（Chip Enable Don't Care）"功能，可简化微控制器的接口设计，同时能简化将NAND闪存与NOR闪存、SRAM等整合的过程。另外，独特的组件标识符则能由制造商自行编程，而用户可编程序列码的应用可为用户增添安全功能。