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KLA-Tencor解决EUV研究和双次成像微影的挑战
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑报导】   2010年02月22日 星期一

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KLA-Tencor推出了最新一代的PROLITH虚拟黄光计算机仿真软件PROLITH X3.1。其让芯片厂商、研发机构及设备制造商能够迅速且具成本效益地解决超紫外线(EUV)和双次成像微影(DPL)制程中的挑战,包括与晶圆堆栈不平坦有关的边缘粗糙度(LER)和成像问题。PROLITH X3.1微影仿真软件能够简化他们的研发,节省微影单位资源,并加速产品的开发。

KLA-Tencor推出PROLITH X3.1虚拟黄光计算机仿真软件。
KLA-Tencor推出PROLITH X3.1虚拟黄光计算机仿真软件。

KLA-Tencor制程控制信息部副总裁兼区域总经理Ed Charrier表示,在评估2Xnm及未来更先进设计的多项微影技术方面,研发人员必须了解制程设计前后如何影响在晶圆上的成像,包括光罩设计、扫描曝光机设定、晶圆堆栈不平坦和光阻成份的差异等影响。PROLITH X3.1并不实际曝光测试晶圆,而是仿真成像结果,利用基本物理学原理来协助研发人员研究和优化微影制程。新的X3.1版EUV和LER功能只需数分钟就能产生精准结果,使其可以大幅缩短产品开发时间。此外,这项策略还能降低扫描曝光机、track和CD-SEM机台转至运行可行性实验的时间,释出EUV技术以便进行整合与测试,或释出微影技术以增加生产运行。

PROLITH X3.1其设计目的是让研发人员能够经济高效地研究不同的微影技术,相关功能:

.市场上第一款考虑光的量子行为和光阻中的离散反应分子的随机型(或然率)品,能够协助研发人员;

.数分钟的运行时间精准仿真 LER,让在实际的晶圆厂中研究各种制程条件对LER的影响成为现实;

.影像刻印的可重复性以及对良率的影响进行研究;

.线和接触孔CD的均匀性进行预测;

.判定可用的制程容许量;

.测试不同的光阻反应物加载级别如何影响成像(例如制程容许量、CD控制、缺陷级别),从而让材料制造商能够以显著降低的成本探索光阻配方;

.第一款仿真EUV光电子微影制程结果的产品;

.直觉的晶圆堆栈不平坦设定和改善后的晶圆堆栈不平坦模块允许迅速、方便地对双次和单次成像非平坦微影层积和诸如FinFET等次世代非平坦组件进行评估;

.超过60个高精准度、经过校准的光阻模型,可供立即使用;

.在一台32位个人计算机上执行的直观接口能够提供迅速、精准的微影模块,无需升级计算机或使用超级计算机;

.可以升级PROLITH平台,提供扩展能力,保护研发人员的现有投资。

關鍵字: 測試系統與研發工具 
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