瑞萨科技近日发表R2J20653ANP，整合了驱动器与MOSFET，适用于笔记本电脑CPU、内存等稳压器（VR）。此产品符合整合式驱动器MOSFET（DrMOS）标准，可承受高电压；输入电压最高达27V，并可达到91%最高供电效率（以输入电压 20V及输出电压1.1V运作时），且于2009年12月7日开始量产。

R2J20653ANP

整合式驱动器MOSFET（DrMOS）是由Intel提出的半导体装置封装标准，DrMOS将CPU等电源供应器所需要的两种类型功率MOSFET及单个驱动IC整合于单一封装中。R2J20653ANP是符合此标准的高度整合装置，用途包括将20V输入电压转换为1.1V CPU电源供应电压。

R2J20653ANP将CPU等电源供应器所需要的两种类型功率MOSFET及单个驱动IC，整合至单一0pin QFN封装，尺寸仅6.0 × 6.0 × 0.95（mm）。相较于传统使用三个封装的分离式产品（与瑞萨科技产品比较），如此可使安装面积降低至约 70%。此外，R2J20653ANP是第一款DrMOS兼容并且在驱动IC中整合两阶段过热保护功能之产品，包括过热警示功能及过热停止运作功能。

此产品的高散热封装适用于高速切换，因此可缩小外部被动组件（例如电感或电容）的尺寸与数量。其封装的针脚兼容于瑞萨科技支持12V输入电压—适用于服务器等之R2J20651ANP DrMOS兼容产品。如此将可缩短将R2J20653ANP运用于现有系统所需的开发时程。

瑞萨表示，此产品的推出，将有助于缩小笔记本电脑CPU电源供应器的尺寸，并提供更优异的效能，预期将带动DrMOS标准的广泛采用。