全球供电产品厂商国际整流器(IR)，推出IR1176应用同步整流IC专用的参考设计－IRDCSYN2。新型IR1176组件的输出电压低至1.5V，能大幅简化及改善隔离式DC-DC转换器的设计，提供电信及宽带网络服务器源源不绝的动力。配合IR以HEXFET驱动的DC-DC转换器功率MOSFET （如IRF7822），IR1176更能提高1.5V及1.8V DC-DC转换器的效率。在40A电流、48V输入的环境下，全新同步整流IC在1.8V及1.5V输出电路上，能够达到86% 和85% 的内电路效率；同时能妥善控制栅驱动电路（gate drive circuits），减低次级（secondary-side）隔离式DC-DC转换器同步整流MOSFET的功率损耗。

IR表示，IR1176是一种用于驱动N信道（N-channel）功率MOSFET的高速CMOS控制器，能在输出电压相等或低于5V的高电流、高频率正向转换器（forward converters）中，作为同步整流器使用。Schmitt触发器 （trigger）输出装置配备双脉冲功能 (double pulse suppression)，在noisy环境下也能正常运作。电路不须连接初级（primary-side） MOSFET，可从次级MOSFET直接操作。

IR又指出，IR1176能预测变压器输出转换（transformer output transitions），在进行有关转换前，开启或关闭功率MOSFET，并将本体露极二极管传导（body drain diode conduction）降至最低，并降低相关的耗损。配合不同种类功率MOSFET的体积及电路状态，开关前置时间（turn on/off lead time） 可适度调节，以发挥最大效能。此外，IR1176透过外部组件提供栅驱动重迭（gate drive overlap）或dead-time control，并藉由次级回路（secondary loop）及组件封装电感（device package inductance）的零效应，进一步减低二极管传导（diode conduction）。

IR又进一步表示，工程师可因应不同应用需要，调整IRDCSYN2参考设计，开发出最终的设计，并可节省将电路开发时间多达四星期。IRDCSYN2参考设计电路板的电压为3.3V DC，输出电流为20A，效率高达90%。这款参考设计拥有全功能的同步整流电路、完整的物料表（BOM）、原理图、应用说明及Gerber档案。参考设计电路板的体积为 8.25 cm × 6.86 cm × 1.9 cm。