瑞萨科技发表12款适用于隔离式DC-DC整流器之第十代功率MOSFET,可用于服务器、通讯设备、工业设备等电源供应器。新推出的功率MOSFET可降低开关损耗,提升能源效率并涵盖多种电压范围(40 V、60 V、80 V、100 V)。已于2009年12月3日开始量产。
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12款功率MOSFET |
瑞萨表示,为了降低隔离式DC-DC整流器的耗电量,必须使功率MOSFET具有较低的汲闸负载电容(Qgd),汲闸负载电容是达到较低开关耗损的关键因素。此次新推出的12款功率MOSFET采用该公司的0.18 μm 第十代制程,并已针对此应用优化。例如,可承受100V电压的RJK1056DPB,汲闸负载电容(Qgd)为 7.5nC,约为瑞萨科技早期产品HAT2173H(14.5 nC)的二分之一。
此外,新款MOSFET采用瑞萨科技经过实证的LEPAK(瑞萨科技封装代码)高效能封装, 可同时提供较低的封装阻抗及优异的散热特性,避免组件过热。相较于传统的SOP-8或类似封装,此种封装本身有助于产品的低损耗特性。内部的连接与框架直接相连,可降低封装电感并确保适用于高频率运作。