账号:
密码:
最新动态
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
Littelfuse新推SP 1026系列30kV瞬态抑制二极体阵列
可避免静电放电损坏设备

【CTIMES/SmartAuto 編輯部报导】   2016年06月08日 星期三

浏览人次:【5013】

全球电路保护方案供应商Littelfuse(利特)日前宣布推出SP1026系列15pF 30kV双向分立式瞬态抑制二极体阵列,该产品旨在保护敏感电子设备免受静电放电(ESD)造成的损害。采用专有矽雪崩技术制造的齐纳二极体可保护每个输入/输出引脚,为设备提供高度的ESD保护。这款功能强大的通用型二极体可在+/-30kV(接触放电,IEC 61000-4-2)条件下安全吸收反复性ESD震击,且性能不会下降。此外,每个二极体还可在极低的钳位元电压下安全耗散5A的8/20μs波形浪涌电流(IEC61000-4-5)。

SP1026系列30kV瞬态抑制二极体阵列可保护手机、智慧手机、智慧手表、平板电脑、可?式导航和医疗设备。
SP1026系列30kV瞬态抑制二极体阵列可保护手机、智慧手机、智慧手表、平板电脑、可?式导航和医疗设备。

SP1026系列二极体的应用包括保护手机、智慧手机、智慧手表、平板电脑、可?式导航设备和可?式医疗设备。

「SP1026系列可对我们的通用型ESD保护设备产品组合形成补充。」瞬态抑制二极体阵列(SPA二极体)产品经理Tim Micun表示:「这款产品可为设计工程师提供经济高效的解决方案,空间利用率极高的设计能够轻松融入元件日益密集的电路板布局。」

SP1026系列采用tDFN-2 (0201)封装,提供卷带包装,起订量为15,000只。样品可向世界各地的授权Littelfuse经销商索取。 (编辑部陈复霞整理)

产品特色

‧ 这款空间利用率极高的ESD解决方案仅占用0201规格(0.60mm x 0.30-5mm)空间,可节省PCB空间并降低成本。

‧ 极低的动态电阻(1.4Ω)可支援用于保护内部填充有小尺寸积体电路的现代电子产品所需的低钳位元电压。

‧ 提供高度ESD免疫性和优越的防护性能(ESD,IEC 61000-4-2,+/-30kV接触,+/-30kV空气放电;EFT,IEC 61000-4-4,40A (5/50ns);雷击,IEC 61000-4-5第2版,5A(tP=8/20μs),让制造商能够提供ESD保护性能超出IEC标准最高等级的产品,并应对众多其他威胁,确保产品在实际使用中的可靠性。

關鍵字: 瞬態抑制二極體陣列  30kV  ESD  ESD  矽雪崩技术  Littelfuse  利特  系統單晶片 
相关产品
Littelfuse超级结X4-Class 200V功率MOSFET具有低通态电阻
Littelfuse推出首款用於SiC MOSFET栅极保护的非对称瞬态抑制二极体系列
Littelfuse推出高频应用的双5安培低压侧MOSFET栅极驱动器
Littelfuse扩展ITV 5安培额定电流电池保护器系列
Littelfuse新款低侧栅极驱动器适用於SiC MOSFET和高功率IGBT
  相关新闻
» Littelfuse的KSC DCT轻触开关 提供双电路技术与SPDT功能
» Littelfuse新款KSC DCT轻触开关提供双电路技术与SPDT功能
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
  相关文章
» 使用三端双向可控矽和四端双向可控矽控制LED照明
» 轻触开关中电力高度与电力行程对比
» 掌握高速数位讯号的创新驱动力
» 功率循环 VS.循环功率
» P通道功率MOSFET及其应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BT36JWNWSTACUKU
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw