增你强近日力推其代理品牌Fuji Electronic Power MOSFET Super FAP-G 500V~900V系列。Super FAP-G是Fuji推出的MOSFET新系列，在制程技术上将硅晶圆的使用发挥至最高极限，提升MOSFET整体效能，因此在相同的导通阻抗值RDS(on)下，MOSFET封装将更小，让研发设计人员在设计3C产品时，能满足消费者对产品要求更多功能、更省电与外形更轻巧的需求。

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由于Fuji在POWER MOSFET制程技术的演进，传统TO-3P封装的MOSFET (600V / 0.75ohm)规格，在Super FAP-G系列则以TO-220封装即可达到相同规格之需求 (600V / 0.75ohm与600V / 0.65ohm)。Super FAP-G系列还有几项重要特色，包括更低的Gate Charge (Qg)与Turn-off loss，与传统组件相比，Super FAP-G的Gate Charge能降低60%，Turn-off loss能减低75%。

此外，Super FAP-G组件的吸收突波耐受 (Avalanche Ruggedness) 的能力更强，在瞬间高温下依然能正常运作。与传统组件相比，Super FAP-G系列减少20%的损耗，可降低温升，亦能减少散热片面积，降低整体设计成本，大幅提升电源系统效率。

Fuji 计划在2005年第三季发表Power MOSFET Super Junction (SJ)系列，SJ标榜低Gate Charge (Qg与Qgd)与极低的RDS(on)值。 SJ系列是Fuji为抢攻CoolMOS市场所规划的新产品。