账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2006年05月22日 星期一

浏览人次:【1198】

Vishay发表新Trench MOS萧特基势垒(TMBS)整流器,其具备此组件类型中最低的顺向压降。

全新V60100C以共阴极30A X 2配置,额定电流及电压分别为60A及100V,提供30A、125°C时0.70V,以及 30A、25°C时0.79V之顺向压降 (per leg),针对用于70W至800W 高频率切换模式供电而优化,V60100C低顺向压降及优越的切换效能,降低了功率传导损失,并在高压输出中提升OR-ing二极管的效率。

V60100C典型切换模式供电应用,包含服务器供电、工业计算机及电讯系统。此组件同样可作为桌面计算机、服务器、笔记本电脑、PDP电视及液晶电视、及屏幕等适配器的交流至直流整流使用,V60100C 同样可替代同步整流(SR)方案,同时可匹配其效率及热效能。

V60100C是Vishay TMBS整流器家族的最新版本,其运用Trench MOS(金属氧化半导体)技术,已达到比传统平面萧特基组件更优越的效能。藉由其超低的顺向压降,TMBS整流器可以更少组件达到相同效能,因而节省了电路板面积、简化设计、并降低OEM成本。

關鍵字: Vishay  电流控制器 
相关产品
Vishay推出获沉浸式许可的新尺寸IHPT触觉回??致动器
Vishay固体??模制片式电容器为电子爆震系统增强性能
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二极体
Vishay液态??电容器为军事和航电应用提供高电容和稳健性
Vishay推出小尺寸薄膜环绕片式电阻器提供高达1 W功率
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» Vishay IGBT和MOSFET驱动器拉伸封装可实现紧凑设计、快速开关
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» Vishay新型30 V和 500 V至 600 V额定电容器扩展上市
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BD2B1YUWSTACUKI
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw