Vishay宣布推出八款采用创新型PowerPAK ChipFET封装的N信道功率MOSFET，该封装可提供热性能，其占位面积仅为3毫米×1.8毫米。这些组件采用各种配置和电压，可使设计人员轻松替换广泛功率转换应用中的较大型功率MOSFET。

作为采用较大型SO-8封装的MOSFET的小型替代产品，这些新型PowerPAK ChipFET 器件具有相同的3W最大功耗，但占地面积小81%，浓度薄48%（0.8 毫米），因此具有更高的功率密度。

为实现优化的设计效率，采用Vishay新型PowerPAK ChipFET系列封装的N信道功率MOSFET是专门面向注重空间的低功耗计算器及固定电信应用中的负载点、同步整流及逻辑级直流到直流转换应用而设计的。

N信道PowerPAK ChipFET器件还将用作便携式电子系统及笔记本计算机中的负载开关，因此与采用TSOP-6封装的功率MOSFET相比，可使占位面积减小33%，浓度薄23%，以及在4.5V闸极极驱动时使导通电阻减小9%。

日前推出的这八款组件包括单信道、双信道及单信道＋肖特基二极管功率 MOSFET，它们的额定击穿电压介于20V～60V。

采用PowerPAK ChipFET系列封装的单个N信道功率MOSFET的额定典型热阻低至 3°C/W(RthJC)，20VDS N信道单信道器件中的最大导通电阻值低至0.015Ω，双信道器件的最大导通电阻值为0.039Ω。单信道＋肖特基二极管功率MOSFET的导通电阻值低至0.039Ω，在电流为1A时肖特基二极管的正向电压为0.375V。