Vishay推出具有可调及固定输出电压选择的LDO控制器，该器件采用n信道MOSFET，可在高达7A的极高电流情况下提供不到50mV的超低压降。

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SiP21301器件已进行了优化，可驱动n信道MOSFET，以便为游戏机、机顶盒、液晶电视及网络设备中的FPGA、ASIC及 ASSP供电。由于可与具有单独电源电压的外部n信道MOSFET一同使用，因此SiP21301可使设计人员选择导通电阻、压降、输出电流及功耗额定值最适合他们应用的FET，在电流高达7A时，其工作电压介于0.65V～2.5V。SiP21301解决方案高达80%的效率有助于降低终端产品中的能耗，同时可简化直流到直流转换器的设计。

新型SiP21301可在提供7A峰值电流时保持稳压，该器件适用于在开启时具有高浪涌电流并且具有超低压降要求的系统。SiP21301具有可编程的启动时浪涌电流保护、短路保护、热关断及欠压锁定功能，可实现IC及外部MOSFET的安全运行。

该控制器提供了可调输出电压以及1.2V与1.5V的固定输出电压选择。该器件可提供低工作电流、低待机电流以及1%的输出电压精度。

SiP21301采用小型无铅（Pb）MSOP8封装，可在-40°C～+125°C的结温范围内工作。