Vishay发表采用其新型p信道TrenchFET第三代技术的首款组件，该20V p信道MOSFET采用SO-8封装，具最低的导通电阻。

Vishay新型20V P信道第三代MOSFET Si7137DP

新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V时）、2.5mΩ（在4.5V时）和3.9mΩ（在 2.5V时）的超低导通电阻。TrenchFET第三代MOSFET的低导通电阻代表更低的的传导损耗，如此可确保组件能比目前的p信道功率MOSFET以更低的功耗执行切换任务。

Si7137DP将用作适配器开关，用于笔记本电脑与工业/通用系统中的负载切换应用。适配器开关（在适配器/墙壁电源和电池电源间切换）一直处于导通状态，消耗电流。Si7137DP的低导通电阻能耗低，节省电力并延长两次充电间的电池可用时间。让设计人员无需依赖30V功率MOSFET，直到最近30V功率MOSFET才成为具有如此低导通电阻范围的唯一p信道组件。