Vishay推出17款新型功率MOSFET，这些器件采用小型PowerPAK 1212-8封装，并且具有低至3.7mΩ的超低导通电阻值。这些TrenchFET第二代器件实现了巨大的空间节约，它们的尺寸仅为3.3毫米×3.3毫米×1毫米，仅是SO-8封装的1/3，并且它们还具有不足2°C/W的低热阻，这一热阻值比SO-8器件低8倍。

这些新型功率MOSFET主要面向用于数据通信系统的负载点(POL)转换器及高密度直流到直流转换器中的同步整流、同步降压及中间开关应用，它们可使设计人员极大减少板面空间以及/或提高功能，同时性能毫不逊色。凭借它们出色的电气性能，这些功率MOSFET可作为众多应用中SO-8器件的可行替代产品。

12V至40V单N信道器件在4.5V栅极驱动时的导通电阻值范围介于3.7mΩ～10mΩ，它们包括12V Si7104DN；20V Si7106DN、Si7108DN及Si7110DN；30V Si7112DN及Si7114DN，以及40V Si7116DN。双N信道器件具有低至36mΩ的导通电阻值，它们包括30V Si7212DN与Si7214DN、40V Si7222DN，以及60V Si7220DN。日前推出的单信道 60V Si7120DN、75V Si7812DN、150V Si7818DN、220V Si7302DN及250V Si7802DN采用PowerPAK 1212-8封装。在10V栅极驱动时，这些器件的导通电阻值范围介于135mΩ～435mΩ。该公司先前推出了200V Si7820DN。