Microchip Technology Inc.今日宣布扩大其碳化矽产品组合，推出一系列高效率、高可靠性的1700V碳化矽MOSFET裸片、分离元件和电源模组。

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Microchip的1700V碳化矽技术是矽IGBT的替代产品。由于矽IGBT的损耗问题限制了开关频率，之前的技术要求设计人员在效能上做出妥协并使用复杂的拓朴结构。此外，电力电子系统的尺寸和重量因变压器而变得臃肿，只有提高开关频率才能减小尺寸。

新推出的碳化矽系列产品使工程师能够舍弃IGBT，转而使用零件数量更少、效率更高、控制方案更简单的两级拓朴结构。在没有开关速度的限制情况下，功率转换单元的尺寸和重量可以大幅减少，可在有限空间来建立更多充电站，提供更多空间来运送乘客和货物，或者延长重型车辆、电动巴士和其他电池驱动商业车辆的续航能力和执行时间，所有这些都可以降低整体系统成本。

Microchip分离产品业务部副总裁Leon Gross表示：「交通运输领域的系统开发人员不断被要求在无法变大的车辆中容纳更多的人和货物。协助实现这一目标的最佳方式之一，是利用高压碳化矽功率元件，大幅降低电源转换设备的尺寸和重量，同时提高效率。可为交通运输行业及许多类似的行业应用带来更多的益处。」

新产品特点包括栅极氧化物稳定性，Microchip在重复非钳位元感应开关（R-UIS）测试中观察到，即使延长到10万个脉冲之后，阈值电压也没有发生漂移。 R-UIS测试还显示了出色的崩溃耐固性和参数稳定性，以及栅极氧化物的稳定性，实现了在系统使用寿命内的可靠运行。抗退化体二极体利用碳化矽MOSFET可以无需外部二极体。与IGBT相当的短路耐受能力可承受有害的电瞬变。在接面温度0至175摄氏度范围内，相比对温度更敏感的碳化矽MOSFET，较平坦的RDS（on）曲线使电力系统能够更稳定地运行。

Microchip透过AgileSwitch数位可程式设计栅极驱动器系列和各种分离和功率模组，以标准和可客制化的形式简化了技术的采用。这些栅极驱动器有助于加快碳化矽从实验到生产的开发速度。

Microchip的其他碳化矽产品包括700V和1200V的MOSFET和萧特基二极体系列，提供裸片和各种分离和功率模组封装。 Microchip将内部碳化矽裸片生产与低电感功率封装和数位可程式设计栅极驱动器相结合，使设计人员能够制造出最高效、紧凑和可靠的最终产品。