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ST推出射频整合被动元件 全面提升STM32WL MCU性能
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕报导】   2023年03月28日 星期二

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意法半导体(STMicroelectronics,简称ST)推出九款针对STM32WL无线微控制器(MCU)优化的射频整合被动元件(RF IPD,RF Integrated Passive Device)。新产品整合天线阻抗配对、巴伦和谐波滤波电路。

意法半导体推出多款天线配对射频整合被动元件,全面提升STM32WL MCU之射频性能
意法半导体推出多款天线配对射频整合被动元件,全面提升STM32WL MCU之射频性能

意法半导体的STM32WL MCU是一系列无线双核心微控制器晶片,由Arm Cortex-M4核心负责处理应用任务,Cortex-M0+核心专门管理sub-GHz 远端射频通讯功能,为智慧物联网装置带来应用级处理和无线通讯功能。射频模组符合LPWAN物联网标准,支援多种调制方法,并提供STM32CubeWL MCU开发套件,其中包含了LoRaWAN和 Sigfox协议堆叠。

RF IPD是连接STM32WL MCU和天线的微型晶片级封装元件,有助於最大限度地提升射频性能。单晶片整合所有元件,可确保射频性能稳定,避免制造过程中,对离散元件组成的传统配对电路产生影响。RF IPD还能简化了电路设计、节省物料成本,以及做成更小的尺寸,是具成本考量和空间受限之物联网装置的理想选择。

新推出的九款RF IPD产品让设计人员可以根据射频频段和功率、MCU封装类型,以及两层或四层PCB选择最隹叁数。BALFHB-WL-01D3到BALFHB-WL-06D3适用於868MHz和915MHz无线通讯。

BALFLB-WL-07D3、BALFLB-WL-08D3和BALFLB-WL-09D3则适合490MHz无线通讯。每款产品都整合了MCU和天线之间完整的收发讯号通道。晶片上整合的滤波器可对多馀的发射谐波进行高度衰减,协助设计人员满足全球无线电许可机构所制定的法规要求。

所有新产品均已量产,其采用2.13mm x 1.83mm 8凸点晶圆级晶片级封装,回流焊後厚度低於630μm。

關鍵字: ST 
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