ST日前发布一款带有嵌入式压控振荡器（VCO）的多频带RF合成器STW81100。透过ST RF设计经验，以及采用ST世界级的BICMOS硅锗（SiGe）制程技术，ST的设计人员已经开发出能大幅减少总材料列表（BOM）成本，且尺寸更小的整合型产品。新组件是ST一系列内含PLL与VCO之高整合度RF解决方案的第一款产品。

/news/2005/05/10/1843214885.jpg

STW81100是一款带有VCO的多频带整合式RF合成器，适用于无线通信与测试设备系统。STW81100具有高效能、高整合度、低功耗、多频带能力等特色，是一款将PLL与VCO整合在内的低成本单芯片解决方案，过去的标准方案需要两颗芯片，不仅尺寸大且非常昂贵。另外，由于单芯片STW81100强化了可靠度、减少了电路板面积与外部分离式组件使用量，因此也能减少间接成本，是一款极具成本／效能比的解决方案。

STW81100内含一个整数-N（Integer-N）频率合成器以及两个完整的内建式VCO，具有极低的相位噪声效能，最低噪声基准（noise floor）为-153dBc/Hz。其频率范围极广的整合式VCO（其中心频率测量结果超过32个子频带），以及多重输出选项（如直接输出、分割为2或分割为4个输出），都能让合成器覆盖从820MHz-1,100MHz、1,640MHz-2,200MHz以及3,280MHz-4,400MHz等频带范围。STW81100还能以IP单元形式供货，进一步拓展了ST的RF ASIC智财权（IP）产品线。

ST无线基础架构部门RF技术营销经理Guillaume Pertinant表示：“ST从手持电话到电信基础建设领域的强大RF设计能力与市场领先地位，已经转化为能满足当前制造商对更低BOM成本与更小芯片尺寸两大主要诉求的一系列产品线。”