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简化FPGA设计 Mosys推出QPR多分区高速SRAM
 

【CTIMES/SmartAuto 陳雅雯报导】   2021年05月24日 星期一

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由旭捷电子代理的美商MoSys推出新一代的Quazar QPR(Quad Partition Rate;四分区速率)记忆体,主要针对FPGA系统进行优化,提供低成本、超高速的SRAM记忆体器件。MoSys致力於加速智慧数据应用,并提供半导体和IP解决方案,以加速云端、网路、安全性和通讯系统的效能升级,以及智慧数据处理应用的开发。

MoSys推出QUAZAR QPR系列的低成本、四分区速率SRAM记忆体晶片,提供与QDR相当的性能,但成本不到一半。
MoSys推出QUAZAR QPR系列的低成本、四分区速率SRAM记忆体晶片,提供与QDR相当的性能,但成本不到一半。

MoSys QUAZAR QPR记忆体利用1T记忆体单元、高密度和高速的记忆体架构设计,拓展了其独特的多分区记忆体系列,包括带宽引擎(BE2/3和PHE)器件和此次推出的新产品QUAZAR器件,成功平衡了低成本与高效率的开发要点。

新产品的容量约为QDR的4~8倍,包含567Mb和1Gb的内存选项,而且每个器件上有多个独立的随机存取SRAM,tRC为3.2ns。单一个器件就能取代同时使用多个QDR器件,同时提供与QDR相当的性能,频宽高达640Gb/s,字宽高达576b。因此,与QDR记忆体器件相比,成本不到一半。

新一代Quazar QPR同时支援INTEL(Altera)和XILINX的FPGA,而且仅需32个引脚来连接FPGA,简化了信号路由。主要应用以搭配FPGA为主,包含测试和测量、5G网络、路由器、交换器、安全性(防火墙、ACL、DDoS、IPS和WAF)、运算存储、资料库加速、大数据、航太和国防、高阶影音应用、高性能运算、机器学习和人工智慧等数据驱动的领域。

MoSys除了IC,还提供了RTL记忆体控制器,作为类似於SRAM的接囗,进一步简化设计工作。

關鍵字: SRAM  高速記憶體 
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