设计工程师非常了解在应付由charged board event (CBE)造成的较严重损坏时，所提供符合IEC 61000-4-2标准的静电放电 (ESD)保护功能可能还不够。这些极强的浪涌事件具有高峰值电流和快速上升时间的特性，可能会破坏智能型手机、平板计算机、汽车信息娱乐设备和其他敏感电子产品的I/O埠。有鉴于此，TE Connectivity旗下的电路保护业务部门推出了全新的硅ESD (SESD)系列器件， 这些器件的空中放电额定值(air discharge rating)为±20kV 和±22kV，远远高于IEC 8kV 接触放电和15kV空中放电标准的要求，可协助设计人员解决由CBE所引起且普遍存在的电路保护问题。

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TE电路保护部产品经理Nicole Palma表示：“在与设计工程师一起工作时，我们发现IEC的ESD保护标准没有真正解决可能导致产品故障的CBE所引起的问题。有鉴于此，我们强化了现有的小型低电容SESD器件产品线，提供20kV及更高的浪涌保护能力。这种更强大的保护能力可以协助制造商提升产品的可靠性，并将返修(field return)的次数减到最少，这正是在竞争激烈的计算机、行动、消费和汽车市场设计时的关键性考虑因素。”

此新一代的SESD产品同时具有单向和双向配置，以及1、2和4信道的版本，采用微小型0201和0402尺寸及标准直通(flow-through)封装。除了提供20kV接触放电性能，这些器件的浪涌保护能力(4信道数组为2.2A，1和2信道器件为2.5A)将有助于提供更稳健的性能。

SESD器件的典型输入电容在高频谱下为0.15pF (双向)和0.30pF (单向)，将有助于满足HDMI、eSATA和其它高速信号的要求。其低钳位电压 (