ＲＯＨＭ日前最近推出拥有低损耗、高耐压特性的新世代功率组件SiC（碳化硅）材料的萧特基二极管（SBD）「SCS110A系列」开始量产。「SCS110A系列」比其他厂商量产的SiC-SBD在顺向电压及导通阻抗方面获得改善，适合使用在EV（电动车）/HEV(油电混合车)及空调等需要进行功率转换的Inverter,Converter,PFC电路（功率因素校正电路）等多种用途。

近年来在，电力电子技术方面，半导体组件造成功率转换时的损耗逐渐形成问题，从环保观点也促使对于较硅材料更低损耗的SiC功率组件的研发推展。ROHM于2004年成功完成SiC MOSFET试作品，接着完成SiC萧特基二极管及由以上组件所构成的电源模块试作成功。

这次开始量产的「SCS110A系列」的反向回复时间（ｔｒｒ）仅15nsec比一般硅材质快速回复二极管（35nsec～50nsec）相比大幅缩短回复时间，回复时的损耗也降到仅1/3。依此特性，若使用在Inverter、Converter、PFC电路，损耗大幅降低发热量也跟着减少。与硅材质的FRD相比，特性随温度变化极少，能使用较小的散热片。与之前的SiC制萧特基二极管比较，具有trr特性改善、芯片尺寸缩小15%等各种优点。

在量产化方面，萧特基接触屏障的均匀性、不需高温处理的高阻抗防护环（Guard Ring）层成形等曾经是技术瓶颈的问题也获得解决，顺利完成社内一贯化生产体制。和之前量产的SiC萧特基二极管相比,藉由降低操作时的阻抗值，其顺向电压也随之降低（VF=1.5V（标准值）10A时）与温度特性更优良，大幅提升性能达到高效率。