针对驱动行动通讯、设计及制造高效能无线电系统及解决方案厂商RF Micro Devices,Inc（RFMD），于6月5～7日假夏威夷檀香山举行的IEEE MTT-S 2007国际微波論坛（International Microwave Symposium 2007）中，发表针对无线基础设施的新GaAs pHEMT低噪声放大器（LNA），以及展示针对商业和军事应

用的GaN高功率产品。

RFMD RF386X系列的LNA，为蜂巢式及WiMAX基础设施市场的理想选择。新宽带LNA能涵盖700MHz至3800MHz，并提供相较于竞争解决方案之最佳噪声和线性效能组合。RF386X系列的LNA适合锁定CDMA、PCS、DCS、UMTS、WLAN和WiMAX应用的第一阶低噪声和线性驱动器放大器，此外，RFMD于其摊位展示兩款具备其第一代48V GaN晶体管技术的RF产品。

RF393X产品系列提供从10W至120W的功率效能，以及非常宽的可调式带宽－展示了GaN技术相较于竞争性GaAs和硅晶技术的高功率及带宽优越组合。RF393X系列提供非常高的锋值效率，并且适合于广播、蜂巢式无线基础设施、高功率雷达、航天和航空电子学等应用。

RFMD RF382X产品系列的28V GaN 10W宽带Power IC。RF3825提供于225MHz至1800MHz频率范围的功率效能，并且是RF382X产品系列中带宽最宽的产品。RF3825透过比竞争解决方案更精小的单一、缩小尺寸解决方案，于多重八度音频展示了10W功率效能，RF382X系列于整个操作带宽提供非常高的锋值效率，并且非常

适合于3G蜂巢式基础设施、军事通讯、软件定义无线电（SDR）及公众行动无线电应用。

RFMD亦展示其高整合性RF解决方案之组合，包括针对GSM/GPRS、EDGE、CDMA及WCDMA手机的領导级蜂巢式前端；针对GSM/GPRS及EDGE手手机的POLARIS TOTAL RADIO RF解决方案；以及WLAN前端及软件GPS解决方案。