三星电子（Samsung）宣布正式领先量产业界第一款20奈米级NAND芯片，可用在SD记忆卡与嵌入式内存解决方案，基于这先进的技术而发表的32Gb MLC NAND，更进一步扩展三星的记忆卡解决方案，可提供智能型

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手机、高阶IT应用与高效能记忆卡更多开发选择。

三星电子内存部门董事长Soo-In Cho表示，开始量产30奈米级NAND仅仅一年之后，三星已经能提供下一代的20奈米级NAND解决方案，远远超过了客户对高效能与高密度NAND解决方案的需求。

相较于30奈米级MLC NAND，三星20奈米级MLC NAND的生产率高出50%，在写入速度上，20奈米级8GB以上的SD卡比30奈米级NAND速度快30%，并实现了速度等级10（读取速度每秒20MB，写入速度每秒10MB）。透过应用前端的制程、设计与控制器技术，三星也确保其可信赖性是与30奈米级NAND不相上下的。

2009年3月，三星电子首先开始量产30奈米级32Gb NAND，现在已可提供使用20奈米级32Gb NAND的SD卡样品给客户，并将在今年下半年扩大生产。基于20奈米级技术的记忆卡将能提供4GB到64GB的不同密度选择。