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ST推出一款新的功率MOSFET
 

【CTIMES/SmartAuto 陳盈佑报导】   2007年12月04日 星期二

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意法半导体宣布推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L,具有极低的微奥姆导通电阻特性,对要求严格的电源供应系统而言,将有助于降低损耗并提升效率。这个新推出的高电流N-channel MOSFET是专为并联供电而设计的,并联供电广泛地使用在服务器应用以提升系统的可靠性。

意法半导体宣布推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L(来源:厂商)
意法半导体宣布推出一款新的功率MOSFET- STV300NH02L(来源:厂商)

ST开发出一项创新的ribbon-bonding技术,典型导通电阻Rds(on)极低,只有800微奥姆(0.8毫奥姆),为高电流的MOSFET设立了一个新的工业基准。 这款20V的产品是降低高效能DC-DC转换器二次侧功耗(secondary rectification losses)的理想选择,提供卓越的短路保护功能及极短的Td( off)(Turn-off time)

并联供电常使用于关键系统以提供备用的电源供应,或用于提升电源输出功率。 以前二极管常被使用在这个功能,为了达到更高的效能, MOSFET现在已取代了二极管。如今功耗极低的STV300NH02L在电源效率上又显著地向前迈出一大步。

關鍵字: MOSFET  義法半導體  电源组件 
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