ST发表一款专为汽车市场设计的大电流功率MOSFET，该组件采用ST专利的STripFET技术，可实现超低导通电阻。全新的STD95N04是40V的标准逻辑位准DPAK组件，最大导通电阻（RDS(on)）仅6.5m奥姆。这款80A的组件适用于DC-DC转换器、马达控制、螺线管驱动器与ABS系统。与采用传统‘构槽式’技术制造的竞争产品相比，新组件在价格与关键的导通电阻效能上具备极佳竞争力。

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STD95N04符合分离式半导体组件的AEC Q101压力测试规范，这是由汽车电子协会旗下的组件技术委员会针对应用于汽车环境中之组件所设立的标准。根据该标准，最高操作温度为175℃，而新组件则100%符合此一规范。

新的ST STripFET技术是以大幅增加的单元密度为基础，因此能在使用更少硅芯片面积情况下实现更低的导通电阻与降低损耗。其他目前开发中的功率MOSFET均采用相同技术，以满足DPAK（4.5V时30V、逻辑位准、4.5m奥姆）；以及D2PAK（10V时40V、标准还辑位准、2m奥姆）的标准需求。