快捷半导体（Fairchild）近日开发出PowerTrench MOSFET组件FDMB2307NZ。该组件具有能够缩小设计的外形尺寸，并提供所需的高效率。FDMB2307NZ专门针对锂离子电池组保护电路和其它超可携式应用而设计，具有N信道共同漏极MOSFET特性，能够达成电流双向流动。

Fairchild开发PowerTrench MOSFET组件FDMB2307NZ，专门针对锂离子电池组保护电路和其它超可携式应用而设计。

FDMB2307NZ采用PowerTrench制程，具有高功率密度，并在VGS=4.5V,ID=8A条件下具有最大16.5mΩ的Rss（on），从而获得更低的导通损失、电压降和功率损失。FDMB2307NZ还具有出色的热性能，使得系统工作温度更低，进一步提高效率。

新组件采用2x3mm2MicroFET封装，为设计人员带来MLP解决方案，节省客户设计的线路板空间。FDMB2307NZ满足RoHS要求，而且具有2kV的HBM ESD防护功能。快捷半导体利用电路技术整合在微型封装中，同时能够减小设计的尺寸、成本和功耗。