账号:
密码:
最新动态
 
产业快讯
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
其导通电阻(RDS(on)) 较先前产品减少一成

【CTIMES/SmartAuto 蘇沛榕报导】   2003年06月06日 星期五

浏览人次:【3813】

国际整流器公司(International Rectifier)​​推出全新IRF8010 HEXFET功率MOSFET系列,其导通电阻(RDS(on)) 较先前产品减少一成。全新的IRF8010具有较高的导通电流及较低的导通电阻(一般为12 mohm), 因此能大幅提升系统效率。

IRF8010 HEXFET
IRF8010 HEXFET

全新MOSFET以重覆或单脉冲雪崩能量(EAR及EAS) 为额定标准,温度可高达175°C。此外,这一系列MOSFET的输入电容和栅电荷均减少到最低,有助于简化栅极驱动器电路、减少生产成本,同时增强转换效能。这些性能特点更使IRF8010 MOSFET成为隔离式电路布置、高效率不间断电源(UPS) 和直流对直流(DC-DC) 转换器中最佳的一次侧开关装置。

IR台湾分公司总经理朱文义表示:「马达控制器制造商可利用全新IRF8010 MOSFET,以更低成本提供直流截波器、交流马达变流器及直流马达的应用,并且提升效率、坚固程度和可靠性。」

全新IRF8010 MOSFET完全符合业界品质标准,并提供​​全方位最佳化的热阻特性,最适合应用于要求极为严格的功率和高温的环境之中。这种操作情况在推高机、直流截波器和电动车辆等马达控制应用中非常普遍。

将温升规格化让设计工程师可建立适当的功率裕度,更能使长期重载、要求严格的功率周期下操作之产品更加可靠耐用。

關鍵字: International Rectifier  IR台灣分公司總經理朱文義  电压控制器 
相关产品
IR推出高电流 SupIRBuck 负载点稳压器IR3847
IR推出微电子继电器设计人员手册
IR三相PWM控制IC具有整合驱动器
IR推出IRAMS10UP60A PlugNDrive
IR推出双重式HEXFET功率MOSFET
  相关新闻
» 巴斯夫与Fraunhofer光子微系统研究所共厌 合作研发半导体产业创新方案10年
» 工研院IEK眺??2025年半导体产业 受AI终端驱动产值达6兆元
» ASM携手清大设计半导体制程模拟实验 亮相国科会「科普环岛列车」
» SEMI提4大方针增台湾再生能源竞争力 加强半导体永续硬实力
» 国科会促产创共造算力 主权AI产业专区落地沙仑
  相关文章
» 使用PyANSYS探索及优化设计
» 隔离式封装的优势
» MCU新势力崛起 驱动AIoT未来关键
» 功率半导体元件的主流争霸战
» NanoEdge AI 解决方案协助嵌入式开发应用

刊登廣告 新聞信箱 读者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 远播信息股份有限公司版权所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BAAP97UESTACUKX
地址:台北数位产业园区(digiBlock Taipei) 103台北市大同区承德路三段287-2号A栋204室
电话 (02)2585-5526 #0 转接至总机 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw