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全新低功率72Mb NoBL Burst SRAM为高速交换器和路由器提供最佳选择

【CTIMES/SmartAuto 陳果樺报导】   2002年01月15日 星期二

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全球知名的高效能集成电路解决方案供应厂商的美商柏士半导体(Cypress Semiconductor)与Ramtron International Corporation子公司Enhanced Memory Systems宣布共同发表全世界最高密度的SRAM,全新的72Mb的「无延迟总线(NoBL,No Bus Latency)」burst SRAM系列产品是针对网络通讯市场所设计,特别适合应用于2.5 Mb/sec的OC-48及其以上接口的高速交换器和路由器,并采用Enhanced Memory Systems公司专利的单晶体管增强型SRAM技术(one-transistor Enhanced SRAM,one-transistor ESRAM),可拥有与传统六个晶体管SRAM(6T方案)相同的传输速度,却大幅提升产品四倍密度及减少四倍的功率消耗。

72Mb NoBL SRAM
72Mb NoBL SRAM

Cypress台湾分公司总经理王春山表示:「Cypress的72Mb NoBL burst SRAM产品将继续延续我们在网络通讯内存市场的领导地位。我们与Enhanced Memory Systems之间的合作开发,已建立一个若采用6T技术要等到2004年才会问市的产品,这代表了Cypress在SRAM领域创下了另一个业界首见的开发产品先例。」

Enhanced Memory Systems营销副总裁Dave Bondurant则表示:「72Mb NoBL burst SRAM是一系列采用我们单晶体管ESRAM专利技术产品中的首项上市组件,我们与Cypress之间的合作有助于双方进一步扩展高密度SRAM市场。」72Mb NoBL burst SRAM是由Cypress与Enhanced Memory Systems共同开发,双方并将共同推动新产品的销售。

Cypress 表示,72Mb NoBL burst SRAM采用2 Mb x 36模式,并以最高166-MHz时钟速率进行作业,可于four-word read/write/read执行过程中能提供100%完整的总线带宽。目前供应2.5V和3.3V版本,与100-pin TQFP和119-pin PBGA封装等选择。功率消耗与目前仍是技术领先的18 Mb SRAM产品相同,仅需消耗采用6T组态的四分之一功率,其针脚、功能与时序均兼容于Cypress的NoBL SRAM系列产品,为需要较大SRAM缓冲存储器的网络系统提供最佳的升级方案。

關鍵字: Cypress  Ramtron  王春山  静态随机存取内存 
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