力旺电子9日宣布推出0.13微米Neobit逻辑制程可程序嵌入式非挥发性内存技术，其后段制程采用低介电系数铜制程(low-k copper process)，将逻辑非挥发性内存技术推进到更先进制程领域。力旺电子之Neobit OTP嵌入式非挥发性内存技术，是利用CMOS制程制造的可程序存储元件，其架构简单、与现行制程完全兼容且使用与现有组件相同的操作电压，可在不增加光罩且不变更现有组件特性之前提下，直接进行设计 (design-in)，展现高效能与低成本的优势。随着CMOS制程技术的演进，组件误差容许度缩小，传统嵌入非挥发性内存组件制程所衍生的制程参数变动与外加光罩制程，难以嵌入于先进CMOS制程中，而力旺电子开发之Neobit OTP即使在0.13微米先进制程技术，完全兼容于CMOS制程，其产业利用性与便利性在半导体业界引起瞩目。目前该嵌入式内存组件技术，已成功导入0.5微米、 0.35微米、 0.25微米与0.18微米等制程进行客户产品之量产，并于策略合作晶圆代工厂之逻辑制程(Logic)、高压制程(High-Voltage)、硅锗制程(SiGe)、无线射频制程(RF)、混合信号制程(Mixed-Signal)等显现了其稳定的产品良率、高度的可靠性及优越的记忆效能。

0.13微米Neobit OTP可运用于数据储存(code storage)、产品码设定(product ID code)、安全码设定(security code)、高阶模拟电路调整(analog circuit trimming)以及取代传统金属熔线备用内存(laser fuse redundancy for embedded SRAM )等应用领域。Neobit OTP为符合各项应用之需求，其容量则可由数个bit延伸至1Mb，提供单一1.2V电压、1.2V/3.3V双电源 或 1.2V/2.5V双电源之读取操作电压，并可容许由外部输入电压或内建高压提升电路(charge pumping circuit)的方式进行写入操作。0.13微米Neobit组件之写入模式，操作电压低于6V，写入时间低于100usec，并且可以采bit-by-bit, byte-by-byte 或word-by-word的方式进行写入。针对应用于低字码 (Low Bit Count)熔线组件功能的Neobit IP线路，读取的操作电压更可低于1V以下。