ROHM推出600V耐压超接合面MOSFET「PrestoMOS」系列产品，在保持最快反向恢复时间（trr）的同时，提高设计灵活度，非常适用於空调、冰箱等生活家电的马达驱动以及EV充电桩，而该「R60xxJNx系列」产品群於近期又新增共30种机型。

ROHM推出600V SuperJunction MOSFET PrestoMOS

此次研发的新系列产品与传统产品同样利用了ROHM的LifeTime控制技术，实现了最快的反向恢复时间（trr）。与IGBT相比，轻负载时的功耗成功减少了58%左右。另外，透过提高导通MOSFET所需要的电压基准，可以避免发生造成损耗增加原因之一的误开启（Self Turn-on）现象。不仅如此，还透过最隹化内建二极体的特性，改善了超接合面MOSFET特有的软恢复指数，可减少引发误动作的杂讯干扰。透过减少这些阻碍使用者实 行最隹化电路时的障碍，以提高设计灵活度。

据了解，在全球的功率需求中，近50%用於马达驱动，随着生活家电在新兴国家的普及，马达驱动带来的功率消耗量预计会逐年增加。一般来说，包括空调和冰箱在内，生活家电多使用变频电路进行马达驱动，而变频电路的开关元件通常会使用IGBT。然而，近年来在节能性能需求高涨的大趋势下，可有效降低装置稳定运行时功耗的MOSFET正在逐步取代IGBT。

Presto表示“极快”，是源自於义大利语的音乐术语。通常MOSFET具有快速开关以及在低电流范围的低导通损耗的优势。例如，用於空调的情况下，非常有助於稳定运转时实现低功耗。PrestoMOS正是在低电流范围实现低功耗、以业界最快的反向恢 复时间（trr）为特点的ROHM独创的功率MOSFET。

开关速度的高速化与误开启现象、杂讯干扰是相悖的，使用者在电路设计时需要透过调整闸极电阻来进行最隹化。与一般的MOSFET相比，ROHM的R60xxJNx系列已经采取了针对误开启现象以及杂讯的对策，有助於提高设计灵活 度。

避免增加损耗的误开启对策

本系列产品透过最隹化 MOSFET 结构上存在的寄生电容，将开关时的额外闸极电压降低了20％。另外，使MOSFET导通所需的??值电压（Vth）增加了约1.5倍，是“不易产生误开启现象的设计”。因此，扩大了用户透过闸极电阻来进行损耗调节的范围。

改善恢复特性，减少杂讯干扰

一般来说，超接合面MOSFET的内建二极体的恢复特性为硬恢复。 然而，ROHM的R60xxJNx系列，透过最隹化结构，与传统产品相比， 新产品的软恢复指数改善了30％，不仅保持了业界最快的反向恢复 时间（trr），还成功减少了杂讯干扰。因此，用户可更轻易地透过闸极 电阻来调节杂讯干扰。