美商亚德诺(ADI)，25日发表一款新的半导体制程，该制程结合了高电压硅芯片与次微米CMOS与互补双极等技术。新款模拟组件计达15种，不像使用传统CMOS制程的模拟解决方案，采用iCMOS工业制程所制造的组件可耐受至30V电源，且可提供突破的效能水平，降低系统设计成本，减少最高达85%的功率消耗与30%的封装尺寸。

ADI的iCMOS工业制程技术的推出使新型高效能模拟组件可操作在电子的噪音环境，而且不用像其他CMOS制程技术需要额外IC的成本。iCMOS主要的特性在于它可以从基板或彼此之间完全隔离组件。这表示一颗单芯片可以用16，24或30V CMOS电路混合匹配5V CMOS，以及多重电压源执行于相同的芯片上。

基于ADI的iCMOS工业制程制造的模拟组件能使工业设备开发者在次微米集成电路的空间中整合高速模拟与最新的数字逻辑电路，其占位面积无其他世代高电压IC所能及。举例来说，设计者如有指定ADC，将会发现以iCMOS为基础的组件比起采用现行高电压CMOS制程制造的ADC，具有更高水平的效能，更低的功率消耗，且所需的板面积更少。类似情形，ADI的iCMOS DAC可以结合放大器来驱动范围宽广的信号，省却外加分离式放大器芯片的需要。采用ADI iCMOS工业制程生产的多任务器，在16只脚的TSOP封装中，所具有的导通电阻只有3至4奥姆，减少的导通电阻(RON )平坦度为0.5奥姆，比工业标准导通电阻少了近85%，减少从切换制程导入信号的失真。