罗姆电子(ROHM株式会社)于日前宣布全新推出创新低导通电阻之高耐压型功率MOSFET，「R5050DNZ0C9」(500V/50A/typ,34mΩ max45mΩ)，适合太阳能发电系统的功率调节器使用。

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随着节能议题愈来愈受到关注，其中，太阳能发电可谓是最具代表性的可回收能源，因此使得该市场在近年来不断地成长扩张。因此，像是藉由改善功率转换效率以达到节能效果，或是能降低损耗等，此类发电系统所使用的功率调节器对于功率MOSFET之要求也随之愈来愈高。ROHM运用传统的多层磊晶生长(epitaxial growth)方式，以垂直型pn接合多个并排的超接合(Super Junction)结构功率MOSFET，达到高效率目标。

本次ROHM采用了可一次让垂直型p型埋层成长的硅深掘蚀刻技术，并藉由细微化与不纯物浓度之优化的技术，导通电阻成功降低47%(与传统产品相比)，最适合容易受到低导通电阻影响的转换器使用，另外搭配ROHM的快速回复二极管或碳化硅萧特基二极管，亦可使用于变频器等产品。本产品可大幅降低功率转换时所造成的损耗，如此便能有效提高太阳能的发电效率，除此之外，为了满足各种不同的电路需求，ROHM还计划利用此一技术来研发具备更高耐压特性的产品系列「PrestoMOS」。