随摩尔定律的脚步，半导体市场在2012年将会正式跨入28奈米制程世代。宜特日前宣布，该公司从2010年开始布局，2011年与知名IC设计大厂合作，历经研究测试，2012年正式突破技术门坎，不仅替客户完成难度极高的28奈米最小线宽修改，且电路除错能力更深入至IC最底层(Metal 1)。

宜特表示，28奈米是现今市场上各大厂欲跨入的制程，此制程可为IC产品带来更高的效能，更低的能耗，与更轻薄短小的尺寸，相当符合现今行动装置的需求，因此许多大厂纷纷导入。

不过，28奈米制程亦有技术上的挑战。宜特科技可靠度与FIB工程处副总经理崔革文表示，28奈米在设计与布局上的复杂度大幅升高，并且很难有一套通用的可制造性设计(Design for manufacture，DFM)模型来确保设计与布局的正确性，将导致IC设计业者须进行更为频繁的光罩改版，增加时间成本与金钱成本的负担，一套28奈米光罩要价近2亿台币，是40奈米的好几倍，往来重新下光罩亦需一个多月。

因此，许多业者采FIB(Focused ion beam，聚焦离子束)线路修改技术，藉此省去光罩改版的时间与金钱成本。崔革文说：「FIB在28奈米产品的除错与验证上势必将扮演更为重要的角色。」

FIB工程处经理 许如宏表示，早在2010年，宜特即展开28奈米IC线路修改的研究与布局，针对最底层(Metal 1)的极小线路作修改测试，并从极小间距中，研究如何设定正确参数将讯号引出，还可利用独有的低阻值联机技术(宜特已有中华民国专利)，克服过大阻值易造成高频讯号的延迟与失真，目前在各个环节上均已完成验证，技术能量已可满足现今所有先进制程产品的除错与验证需求。

许如宏进一步指出，工欲善其事，必先利其器，宜特除了拥有技术外，亦在这两年，建造完成国内唯一同时拥有可胜任40奈米与28奈米线路修改的实验室，除了一般的Front-side FIB技术外，亦可支持Back-side FIB线路修改技术。

Back-side FIB其原理是从IC芯片的背面(即硅基材端)来进行线路修改，该相关技术近年来受到高度瞩目，其需求亦日益趋多。特别在联机密度与I/O数都特别高的28奈米制程上，由于需要更多层的金属联机与更高比例的覆晶封装(Flip Chip)形式，也因此，使用Back-side FIB线路修改将成为未来主流。