安森美半导体（ON Semiconductor）推出先进的80安（A）功率整合模块（PIM）适用于要求严格的不间断电源（UPS）、工业变频驱动器和太阳能反向器等应用。

NXH80T120L2Q0PG PIM接面温度为摄氏175度，完全符合高可靠性标准。

NXH80T120L2Q0PG PIM采用安森美半导体的专属沟槽第二代场截止技术（FSII）及稳固的超快迅速恢复二极管，配置为1200伏（V）、80 A半桥和600 V、50 A中点钳位式T型拓扑结构，达到超过98%的能效。 可配置的封装平台采用大功率直接键合铜（DBC）基板技术及专有的压合（press-fit）引脚，为客户提供高性能和可靠的功率模块方案。

安森美半导体扩展至PIM市场，源自于三十多年的开发汽车点火IGBT和智能功率模块（IPM）的经验。 NXH80T120L2Q0PG PIM运用安森美半导体丰富的封装专业知识，接面温度为摄氏175度，完全符合最高行业可靠性标准。 此外，安森美半导体的模块方案为客户提供一体化的硅和封装供应链，确保高质量和成本效益。

安森美半导体功率分立产品副总裁兼总经理Paul Leonard表示：「功率整合模块（PIM）是我们功率愿景的关键性一环，使我们能扩展至更高功率的工业和汽车市场。 这新的、极其稳固的功率模块平台应证我们投入于提供全面的功率分立和模块方案的产品阵容，使客户能满足他们的高效能、高功率密度方案的需求。 」

NXH80T120L2Q0PG采用Q0PACK封装（尺寸65.9 mm x 32.5 mm x 11.75 mm）。