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意法最新双极性功率晶体管媲美MOSFET的能效并节省电路板空间
 

【CTIMES/SmartAuto 报导】   2013年10月11日 星期五

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意法半导体的3STL2540提供双极性晶体管的成本优势和硅面积使用效率,同时兼具同等级MOSFET的能效,为设计人员提供一个节省空间的低成本电源管理和DC-DC电源转换器(DC-DC converters)解决方案。

意法半导体最新双极性功率晶体管 BigPic:649x559
意法半导体最新双极性功率晶体管 BigPic:649x559

3STL2540是一个-40V/-5A PNP晶体管,在完全饱和状态时,最大电压降(voltage drop)为200mV,基极电流(base current)仅为10mA。等效导通电阻仅为90m?,接近同等级超级逻辑层MOSFETs (super logic-level MOSFETs)的性能。

3STL2540的核心技术是意法半导体的先进的双金属层平面基岛技术(base island technology),在0.2到10V的宽输出电压下,温度在摄氏-30°C到150°C范围内,连续高电流增益(consistently high current gain,hFE)至少保持在100,创下业界同类组件最低的导通损耗记录。高热效率封装PowerFLAT?仅0.6mm高,封装面积为2mm x 2mm,在最小的印刷电路板内实现高性能功率电路。

關鍵字: 双极性功率晶体管  ST 
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