快捷半导体(Fairchild Semiconductor)推出采用SO-8封装的80 V N沟道MOSFET器件FDS3572，能同时为初级(primary-side)DC/DC转换器和次级(secondary-side)同步整流开关电源设计提供优异的整体系统效率。FDS3572提供7.5 nC Miller电荷(Qgd)，比相同RDS(on)级别的产品低38%。该器件的低Miller电荷加上低RDS(on)(16毫欧)特性，使得其质量因子(Figure of Merit；FOM=RDS(on)xQgd)为120，较最接近竞争产品低33%之多。FDS3572还具有最佳的总闸电荷(在VGS=10 V为31 nC)，有助降低功耗；低QRR(70 nC)，可降低反向恢复损耗；以及高雪崩性能(EAS=15 mJ)，以提高耐用性。

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FDS3572开关特别适用于预调整的高密度隔离全桥或半桥DC/DC转换器电路应用，也是初级应用的理想器件，包括低压电信电源、DC/DC转换器、网络和数据通信电源、服务器及采用最新总线转换器拓扑且支持中介总线结构(IBA)的电压调节模块(VRM)。在这些应用中，频率通常高达250 KHz，而FDS3572极低的Miller电荷可实现快速切换，从而减少动态损耗；至于其超低闸电荷则可通过减少驱动器/PWM控制IC的功耗来提高系统效率。

这种器件还可用于同步整流器，以替代DC/DC转换器次级的传统高压Schottky整流器，输出电压为5V至52V。典型的产品应用包括网络和数据通信DC/DC转换器及笔记本电脑的外部AC/DC配接器。FDS3572的低RDS(on)特性可将传导损耗控制在允许范围内，并提高笔记本电脑AC/DC配接器的功率密度。功率密度的增强非常重要，因为随着更多多媒体功能整合于可携式产品平台上，处理器的功率需求将越来越高。同步整流应用也可得益于FDS3572的高雪崩性能及小尺寸封装。