Vishay發表採用其新型p通道TrenchFET第三代技術的首款元件，該20V p通道MOSFET採用SO-8封裝，具最低的導通電阻。

Vishay新型20V P通道第三代MOSFET Si7137DP

新型Si7137DP具有1.9mΩ（在10V時）、2.5mΩ（在4.5V時）和3.9mΩ（在 2.5V時）的超低導通電阻。TrenchFET第三代MOSFET的低導通電阻代表更低的的傳導損耗，如此可確保元件能比目前的p通道功率MOSFET以更低的功耗執行切換任務。

Si7137DP將用作適配器開關，用於筆記型電腦與工業/通用系统中的負載切換應用。適配器開關（在適配器/牆壁電源和電池電源間切換）一直處於導通狀態，消耗電流。Si7137DP的低導通電阻能耗低，節省電力並延長兩次充電間的電池可用時間。讓設計人員無需依賴30V功率MOSFET，直到最近30V功率MOSFET才成為具有如此低導通電阻範圍的唯一p通道元件。