Vishay Intertechnology,Inc.宣佈推出新型TR3系列模塑鉭電容器晶片。憑藉低至0.035Ω的ESR以及最大為2.07A(100kHz、470µF)的紋波電流，這些電容器可提供高效率。低ESR值在直流到直流轉換應用中可實現更高效的濾波，而這些器件處理高電流的能力在微處理器大型能量存儲應用中非常關鍵。新型Vishay Sprague TR3電容器主要面向電信、汽車、計算機、工業、商業、醫療及航空終端系統中的應用。

除具有超低ESR值及高紋波電流處理能力外，這些新型鉭電容器還採用業經驗證且可確保長期可靠性的固體鉭結構。耐用且耐高溫的出色穩定性進一步提高了TR3器件的性能及可靠性。TR3器件採用A、B、C、D、E五種模塑封裝尺寸，並且具有100%的錫端子（符合RoHS標準），或根據請求，使用90/10錫/鉛端子。採用B、C、D 及 E封裝尺寸的器件均經過了100%的浪湧電流測試。所有TR3電容器均符合EIA 535BAAE及IEC QC300801/US0001規範。這些電容器與大批量取放設備的相容性簡化了裝配過程。

TR3鉭電容器晶片的電容範圍介於0.47µF～680µF，標準電容容差為±10%及±20%。額定電壓範圍介於 4WVDC～50WVDC。這些新型器件的工作溫度範圍介於-55°C～+85°C，或者在施加降額電壓時高達+125°C。