此類可擴充元件採用 EMIPAK 封裝，適用於 NPC 架構、3-level inverter （逆變器）及多組升壓轉換器

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威世（Vishay）科技近期推出四款新型 IGBT 電源模組，此四款電源模組，專用於太陽能串列逆變器及中階功率不斷電電源供應器（UPS）等架構。威世Vishay半導體模組在單一封裝內，整合Ultrafast Trench IGBTs、高效率 HEXFRED 、FRED Pt二極體與溫度偵測（熱敏電阻）元件，透過壓接技術（featuring press fit technology），在3-level IGBT中結合inverter ，中立點鉗位（NPC-neutral point Clamp）技術與多通道interleaved 最大功率追蹤（MPPT-max power point tracking）升壓轉換器，Vishay提供其完整的解決方案。

近日所推出的整合方案，協助設計者縮短產品上市的時間並有效提升系統整體效能。在NPC架構中，VS-ENQ030L120S 提供1200 V，集極到射極（collector-to-emitter） 的崩潰（breakdown）耐壓，與30A的額定耐電流。在3-level IGBT inverter中VS-ETF075Y60U 與 VS-ETF150Y65U ，所提供的額定電流則分別為 75 A 與 150 A，其集極到射極的崩潰耐壓，則分別為 600 V 及 650 V，與 +175 °C 的耐溫。最佳化的double boost 轉換器中，已優化單相額定15A，耐壓1200 V的 VS-ETL015Y120H 。在整合高效率，矽晶圓升壓二極體（silicon boost diodes）、62 A 的旁路二極體（bypass diode）與電路版上的防短路線路，反向極性保護二極體（reverse polarity protection diodes） ，所有元件，皆具備模組化、可擴充性設計，滿足更高功率等級的應用。

在EMIPAK-1B（VS-ENQ030L120S）和EMIPAK-2B（VS-ETF075Y60U、VS-ETF150Y65U和VS-ETL015Y120H）封裝，電源模組的無焊壓合技術（solderless pressfit technology），允許於更便利的 PCB 組裝，同時外露的 DBC 基板，能有效的降低熱阻。低內部漏感與能減少開關損耗，同時提供20 kHz的工作頻率。模組佈局已經過優化，有助於盡量減少雜散參數，從爾提升 EMI 效能。

元件全系列符合RoHS，已通過UL認證（VS-ENQ030L120S 認證正在進行）。Vishay的電源模組符合各種行業標準，並可根據特殊應用提供解決方案。現已開始供應IGBT電源模組樣品並已實現量產。（編輯部陳復霞整理）