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ST推出ACEPACK 2封裝技術電源模組 功率密度高且組裝簡易
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2022年09月21日 星期三

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意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)推出兩款採用主流架構且內建1200V碳化矽(SiC)MOSFET的STPOWER電源模組。兩款模組皆採用意法半導體的ACEPACK 2封裝技術,功率密度高且組裝簡易。

意法半導體推出兩款靈活多變之電源模組,簡化SiC逆變器設計
意法半導體推出兩款靈活多變之電源模組,簡化SiC逆變器設計

第一款模組A2F12M12W2-F1為一個全橋架構(four-pack)四組模組,可為DC/DC轉換器等電路提供方便之高功率密度配置的全橋功率變換解決方案。第二款A2U12M12W2-F2模組則採用三電平T型逆變拓撲,兼具導通效能和開關效能,提供穩定的輸出電壓品質。

這些模組中的MOSFET皆採用意法半導體第二代SiC技術,其Rds(on) x晶片面積品質因數表現傲人,能確保開關能處理大電流的能力,並將功率損耗降至最低。每款晶片的典型導通電阻Rds(on)為13mΩ,因此,全橋拓撲和T型拓撲均適用於高功率設計應用,因為有極低的功率損耗,讓簡單散熱管理設計的模組具備優秀的能源效率。

ACEPACK 2封裝的配置緊密且功率密度高,其採用高效氧化鋁基板和直接覆銅(Direct Bonded Copper,DBC)晶片貼裝技術。外部連接採用壓接引腳,方便於潛在的嚴峻環境中組裝,例如,電動汽車及充電樁、儲能和太陽能的功率轉換。該封裝的絕緣耐壓為2.5kVrms,內建一個NTC溫度感測器,可用於系統保護診斷功能。

A2F12M12W2-F1全橋架構(four-pack)四組配置和A2U12M12W2-F2三電平T型逆變器模組現已量產。

關鍵字: ST(意法半導體
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