帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
ROHM推出小型化低功耗MOSFET 提升運作效率和安全性
 

【CTIMES/SmartAuto 劉昕報導】   2022年12月06日 星期二

瀏覽人次:【1587】

ROHM推出一款小型高效的20V耐壓Nch MOSFET*1「RA1C030LD」,該產品非常適合用於穿戴式裝置、無線耳機等聽戴式裝置、智慧型手機等輕巧型裝置的開關應用。

ROHM推出小型化之業界頂級超低功耗MOSFET,絕緣膜構造有助提高無線耳機和穿戴式裝置等輕巧型應用的效率和運作安全性
ROHM推出小型化之業界頂級超低功耗MOSFET,絕緣膜構造有助提高無線耳機和穿戴式裝置等輕巧型應用的效率和運作安全性

近年來,隨著小型應用裝置朝向高性能化和多功能化方向發展,裝置內部所需的電量也呈增長趨勢,而電池尺寸的增加,也導致元件的安裝空間越來越少。此外,電池的尺寸增加也是有限制的,為了更有效利用有限的電池電量,就需要減少用電元件的功耗。

針對上述需求,開發易於小型化且採用特性優異的晶圓級晶片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業界主流。ROHM更利用身為IC製造商的優勢,透過靈活運用IC製程,大幅降低過去Discrete元件製程中會增加的佈線電阻,成功開發出功耗更低的小型功率MOSFET。

新產品採用ROHM獨家IC製程的晶圓級晶片尺寸封裝*2DSN1006-3(1.0mm×0.6mm),實現小型化的同時更降低了功耗。

與相同封裝的市場競品相比,代表導通損耗和開關損耗之間關係的指標(導通電阻*3×Qgd*4)改善了約20%,達到業界頂級水準(1.0mm×0.6mm以下封裝產品之比較),非常有助縮減各種小型應用電路板上的元件占有面積,並進一步提高效率。

另外,也採用ROHM獨家封裝結構,使側壁有絕緣膜的保護(相同封裝的市場競品無絕緣膜)。在受到空間限制而必須以高密度進行元件安裝的小型應用中,使用此款新產品可降低因元件之間的接觸而導致的短路風險,將有助應用的安全運作。

關鍵字: ROHM 
相關產品
ROHM第4代1200V IGBT實現頂級低損耗和高短路耐受能力
ROHM推出車電Nch MOSFET 適用於車門座椅等多種馬達及LED頭燈應用
ROHM超小型CMOS運算放大器適用於智慧手機和小型物聯網應用
ROHM新型紅外光源VCSELED融合VCSEL和LED特點
ROHM新增3款6432尺寸金屬板分流電阻PMR100系列產品
  相關新聞
» 英飛凌2024會計年度營收利潤雙增 預期2025年市場疲軟
» 英飛凌推出全球首款易於回收的非接觸式支付卡技術
» 三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品
» Red Hat:開源AI和混合雲架構 將成為下一步AI技術發展主流趨勢
» ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值
  相關文章
» SiC MOSFET:意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術
» 意法半導體的邊緣AI永續發展策略:超越MEMS迎接真正挑戰
» 光通訊成長態勢明確 訊號完整性一測定江山
» 分眾顯示與其控制技術
» 新一代Microchip MCU韌體開發套件 : MCC Melody簡介

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.18.118.33.35
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw