意法半導體（ST）於日前宣佈，擴大採用第六代STripFET技術的高效功率電晶體産品系列，爲設計人員在提高各種應用的節能省電性能帶來更多選擇。

ST擴大第六代功率MOSFET産品系列

ST表示，最新的STripFET VI DeepGATE 功率MOSFET，可承受高達80V的電壓，可用於太陽能發電應用（如微型逆變器）、電信設備、網路設備以及伺服器電源。高額定電壓可准許電晶體在48V電信應用中穩定工作，高能效並可有效降低營運業者的網路成本。此外，這項技術不僅可降低消費性電子的電源能耗，更可使其在更低的溫度下工作，從而提高用戶的使用體驗，並延長電池壽命。

首批推出的5款産品分別為60V 的STP260N6F6和STH260N6F6-2、75V的 STP210N75F6 和STH210N75F6-2以及80V的STL75N8LF6。由於採用了意法半導體最新的DeepGATE通道MOSFET架構，這五款産品擁有同類産品最低的每單位面積導通電阻。這些低損耗元件採用多種不同的微型工業標準封裝，使客戶能夠提高系統能效，同時降低印刷電路板的尺寸和總體元件數量/成本。