帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
新型IDT混頻器降低失真 大幅節省電力消耗
 

【CTIMES/SmartAuto 編輯部報導】   2014年11月12日 星期三

瀏覽人次:【4831】

IDT公司發表一款新型低失真、低耗電的射頻(RF)混頻器,將降低失真的射頻科技帶入LTE與TDD系統,同時將耗電降至最低。最新加入IDT快速成長系列射頻產品F1178,改善三階截取點達8dB,並且與同級混頻器相比降低耗電30%。

/news/2014/11/12/1019506530S.jpg

IDT F1178為IDT的雙混頻器「零失真」系列產品之一,是一個高效能的混頻器供射頻(RF)至中頻(IF)用,設計用於單一的5伏特電源操作。將混頻器提至最佳化,供操作射頻頻寬從3300至3800MHz的接收器用。此晶片適用於基地台射頻卡、中繼器、分散式天線系統及微波後端設備。

極低耗電紓解了射頻卡上的散熱要求,並且超高的IP3可以允許具有高增益的前端設備。F1178提供使用恆定低阻抗電源啟動的快速設置,讓客戶在TDD Rx插槽之間關閉混頻器電力,進一步降低耗電。

IDT的無線產品定位與行銷資深處長Chris Stephens表示,將雙混頻器系列加入此產品,提供給快速部署3.5GHz頻寬解決方案之要求高性能的客戶。藉著這個超低IM3失真,F1178可以大幅增進射頻卡的性能。Chris Stephens表示:「藉著F1178雙混頻器,客戶可以使用較高的射頻增益,操作他們的系統來改善訊號雜訊比,而仍然維持優異的IM3失真,就像是他們在較低頻率的頻寬上使用我們的混頻器所做的一樣。」

上述元件已提供合格客戶試樣。(編輯部陳復霞整理)

產品特色

‧超過44dB優異的通道隔離

‧供TDD系統用的快速設置降低電力模式

‧射頻範圍從3300至3800 MHz供42與43頻寬用

‧9.0 dB增益

‧超線性+38 dBm三階截取點

‧低雜訊數字9.0 dB(NF)

‧200歐姆輸出阻抗

‧高 +10.7 dBm P1dBI

‧插銷與IDT較低頻率的雙混頻器相容

‧低耗電,低於1.4瓦

關鍵字: 射頻混頻器  RF  LTE  TDD  IDT  無線通訊收發器 
相關產品
Cree | Wolfspeed推出X頻段雷達元件系列 提高RF功率性能
ADI推出16通道混合訊號前端數位轉換器 加速整合參考設計
高通推出Snapdragon 678行動平台 支援LTE載波聚合
R&S推出新型系統放大器 瞄準微波設備製造商
Nordic低功耗SiP元件 支援智慧手錶的LTE-M與GPS定位功能
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.2048.3.144.224.37
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw