帳號:
密碼:
最新動態
 
產業快訊
CTIMES/SmartAuto / 產品 /
IR公司推出針對特定應用系統的同步整流IC
 

【CTIMES/SmartAuto 王意雯報導】   2000年12月13日 星期三

瀏覽人次:【1845】

IR公司推出針對特定應用系統的同步整流IC(synchronous rectification IC,SRIC) - IR1176,簡化和改良電壓輸出至1.5V的隔離式DC-DC轉換器,全面提升電信及寬頻網路伺服器的效能。

IR公司台灣區總經理朱文義表示:「IR1176的操作與初級部分技術是完全獨立,如此將可落實簡單與低成本的二極管或諧振重設正向拓樸技術(resonant reset forward topologies),而不需要設置複雜的專利電路,如動態鉗(active clamp)或閘驅動補償器(gate drive compensation)。」

朱文義表示:「IR1176能與我們為特定應用系統而設的MOSFET互相配合,增強隔離式同步整流效率,特別適用於要求最高的1.8V和1.5V應用系統。」新一代IR1176同步整流IC,配合IR特別為DC-DC轉換器而設的HEXFET功率MOSFET,如IRF7822,可強化1.5V及1.8V DC-DC轉換器的額定效率。在40A電流下,輸入電壓為48V,輸出電壓為1.8V及1.5V的電路,其內電路效率分別為86﹪和85﹪。IR1176能加強對閘驅動器的控制,減低次級部分隔離式DC-DC轉換器中同步整流MOSFET的損耗。

在實際運作上,IR1176利用經改良的鎖相環路,將次級部分同步整流MOSFET的開關頻率,鎖定至初級部分的開關模式。這樣便可預先啟動次級部分MOSFET,並對開關瞬態反應(turn-on transition lead time)及停滯時間(dead time),以及閘驅動器訊號的重疊現象,進行完全可編程的控制。預先啟動MOSFET將有助於排除寄生二極管的傳導效應,確保所有輸出電流皆透過動態的MOSFET通道傳導。

關鍵字: IR  朱文義  電流控制器 
相關產品
IR新款FastIRFET雙功率MOSFET採用4×5 PQFN功率模塊封裝
IR推出電池保護應用MOSFET系列
IR推出表面黏著型75V MOSFET搭載極低導通電阻
IR為高功率工業應用推出新IGBT模組系列
IR推出75V MOSFET具有極低導通電阻
  相關新聞
» 巴斯夫與Fraunhofer研究所共慶 合作研發半導體產業創新方案10年
» 工研院IEK眺望2025:半導體受AI終端驅動產值達6兆元
» ASM攜手清大設計半導體製程模擬實驗 亮相國科會「科普環島列車」
» SEMI提4大方針增台灣再生能源競爭力 加強半導體永續硬實力
» 國科會促產創共造算力 主權AI產業專區落地沙崙
  相關文章
» 使用PyANSYS探索及優化設計
» 隔離式封裝的優勢
» MCU新勢力崛起 驅動AIoT未來關鍵
» 功率半導體元件的主流爭霸戰
» NanoEdge AI 解決方案協助嵌入式系統開發應用

刊登廣告 新聞信箱 讀者信箱 著作權聲明 隱私權聲明 本站介紹

Copyright ©1999-2024 遠播資訊股份有限公司版權所有 Powered by O3  v3.20.1.HK8BA0MIGT0STACUKH
地址:台北數位產業園區(digiBlock Taipei) 103台北市大同區承德路三段287-2號A棟204室
電話 (02)2585-5526 #0 轉接至總機 /  E-Mail: webmaster@ctimes.com.tw